该创纪录电池采用了天合光能的薄膜钝化技术和通过直拉工艺生产的210毫米×105毫米半切、掺磷n型硅片。
该公司表示，通过全背面钝化异质结技术、微晶系统多频射频掺杂优化、超细线印刷技术等创新，提升了电池的性能，显著提高了光学和电学效率。
天合光能董事长兼首席执行官高纪凡表示：“我们将继续致力于推进钝化接触电池和组件的开发，进一步增强我们的竞争优势。”
这一里程碑标志着天合光能第 29 次创下太阳能电池效率世界纪录，也是双面接触技术的重大进步，首次突破 27% 的效率门槛。在此之前，天合光能于 10 月和 11 月创下 n 型单晶隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 电池效率 25.9% 和 26.58% 的纪录。
27.08%的HJT效率彰显了天合光能在高温和低温钝化接触技术方面的领先地位，增强了其在光伏研究方面的创新。
