台积电此前曾在法说会上提到，2nm制程技术研发进展顺利，设备效能和良率皆按照计划甚或优于预期。2nm将如期在2025年进入量产，其量产曲线预计与3nm相似。
据介绍，N2制程在相同电压下可以将功耗降低 24% 至 35%，或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计技术协同优化和其他一些增强功能实现的。
台积电还将推出N2P制程技术，作为2nm家族延伸，将为智能手机和高速运算(HPC)应用提供支持，预计2026下半年量产。
台积电目前2nm生产基地已规划于竹科宝山与高雄厂区。台积电董事长魏哲家日前在法说会上说，高速运算(HPC)加速往小芯片(Chiplet)设计，但不会影响对2纳米采用状况，而且询问的客户愈来愈多，目前客户对2nm需求比3nm还高，预计产能也将会更高。
台积电持续推进2nm于2025年量产的目标。据了解，台积电2nm宝山第一厂已在2024年4月设备进机，2024年6月使用英伟达cuLitho平台结合AI加速风险试产流程，后续宝山第二厂也维持进度; 高雄厂规划2nm扩充，原先预定相关设备最快2025年第3季进机，实际已提前于今年11月陆续进机，较原先计划超前约半年以上。
