近日，中国科学院上海高等研究院研究员李东栋、副研究员鲁林峰等人在ACS Applied Materials & Interfaces上，发表了题为Interfacial Engineering of Cu2O Passivating Contact for Efficient Crystalline Silicon Solar Cells with an Al2O3 Passivation Layer的研究成果。
晶体硅与p型Cu2O材料具有低的价带偏移和高的导带偏移，因此，c-Si/Cu2O异质结可对电子进行阻挡，实现空穴的选择性传输。该研究中，研究人员以p-Si/Cu2O钝化接触异质结太阳能电池为研究对象，发现直接的p-Si/Cu2O接触将导致一个自发形成的亚化学计量比SiOX夹层。同时，Cu元素也扩散到硅表面形成深能级掺杂，减少少数载流子寿命。研究人员随后在p-Si/Cu2O界面上引入超薄Al2O3层(~1 nm)，它不仅能够起到钝化隧道层的作用，而且还抑制了Si/Cu2O界面上的氧化还原反应和Cu扩散。结合金的高功函数和银的优异光学特性，基于p-Si/Al2O3/Cu2O/Au/Ag钝化接触的太阳电池功率转换效率可达到19.71%，为已报道的同类型电池的最高水平。该研究揭示了p-Si/Cu2O钝化接触的界面特性和载流子传输机制，为减少其界面缺陷和实现载流子的选择性传输提供了有效策略，可作为一种普适的方法在提升异质结电池效率和稳定性方面得到应用，并为其他类型的薄膜太阳电池的研究提供新思路。
研究工作获得国家自然科学基金委员会、上海市科委和中科院青年创新促进会等的支持。
图1.p型Si片上沉积Cu2O和Al2O3/Cu2O叠层薄膜后的(a)少子寿命随注入浓度的关系，以及(b)饱和电流密度(J0S)
图2.p-Si和p-Si/Al2O3衬底上制备Cu2O薄膜的Cu 2p, Cu LMM, Si 2p 以及O 1s的XPS图谱
图3.p-Si和p-Si/Al2O3衬底上制备Cu2O薄膜截面的高分辨透射电子显微镜照片以及相应的能谱分析
图4.(a)p-Si/Al2O3/Cu2O背接触异质电池示意图，以及不同叠层器件的(b)电流密度-电压(J-V)和(c)外量子效率(EQE)曲线。(d)在不同金属背电极下，体硅和电极的光吸收特性
